IRFP244
1个N沟道 耐压:250V 电流:15A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFP244
- 商品编号
- C3290761
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh™ DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）较低，适用于要求严苛的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 15A和14A,275V - 250V
- rDS(导通) = 0.28Ω和0.34Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 275V、250V直流额定值 - 120V交流线路系统运行
应用领域
- 开关应用