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SIHG15N80AEF-GE3

1个N沟道耐压:800V 电流:13A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHG15N80AEF-GE3
商品编号: C3290773
商品封装: TO-247AC
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III HF版本具有快速恢复特性，可提高高速开关应用的效率。

商品特性

低品质因数 (FOM) Ron × Qg
低有效电容 (Co(er))
降低开关和传导损耗
雪崩能量额定 (UIS)

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	13A
	导通电阻(RDS(on))	350mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	156W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	54nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.128nF
	工作温度	-55℃~+150℃