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SIHU2N80AE-GE3

1个N沟道耐压:800V 电流:2.9A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHU2N80AE-GE3
商品编号: C3290821
商品封装: TO-251AA
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品概述

这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 快速系列相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并在单位面积导通状态漏源电阻（RDS(on)）方面有显著改善，同时具备市场上用于最严苛高效桥拓扑和 ZVS 移相转换器的最有效的开关特性之一。

商品特性

低品质因数 (FOM) R\text on x Qg
低有效电容 \left(Ciss\right)
降低开关和传导损耗
超低栅极电荷 \left(Qg\right)
雪崩能量额定 (UIS)
集成齐纳二极管静电放电保护

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	2.9A
	导通电阻(RDS(on))	2.9Ω@10V
	耗散功率(Pd)	62.5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	10.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	180pF
	反向传输电容(Crss)	10pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道