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IXFH15N100Q3
1个N沟道 耐压:1kV 电流:15A
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFH15N100Q3
- 商品编号
- C3290781
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 690W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 低本征栅极电阻
- 国际标准封装
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 低RDS(ON)和 QG
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-DC-DC 转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-温度和照明控制