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STW68N65DM6-4AG
1个N沟道 耐压:650V 电流:72A
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- 描述
- 采用 TO247-4 封装的汽车级 N 沟道 650 V、33 mOhm（典型值）、72 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW68N65DM6-4AG
- 商品编号
- C3290746
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 专为汽车应用设计
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比,单位面积的RDS(ON)更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100%雪崩测试
- 极高的dv/dt抗扰度
- 得益于额外的驱动源引脚,具备出色的开关性能
- 齐纳二极管保护
应用领域
-开关应用