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NVH4L022N120M3S
碳化硅（SiC）MOSFET，1200V，22毫欧
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- 描述
- 特性：典型RDS(tot) = 22 mΩ，VGS = 18 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 151 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 244 pF)。 100%雪崩测试。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVH4L022N120M3S
- 商品编号
- C3290753
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 耗散功率(Pd) | 352W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 146pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |
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