NTH4L067N65S3H
650V, 67mΩ, 40A N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4L067N65S3H
- 商品编号
- C3290755
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率要求较高、无法使用TO - 220AB器件的商业 - 工业应用，首选TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装相似，但更优，因为它有绝缘安装孔。它还能在引脚之间提供更大的爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 55 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 80 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 691 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能