NVH4L050N65S3F
单N沟道MOSFET,电流:58A,耐压:650V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVH4L050N65S3F
- 商品编号
- C3290752
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 403W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品特性
- 超低栅极电荷与低有效输出电容
- 更低的品质因数 (RDS(on)max. x Qg typ. 与 RDS(on)max. x EOSS)
- 符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准