- 引脚图
- 焊盘图
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TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TPH3205WSBQA
- 商品编号
- C3290720
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 135pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@8V |
商品概述
TPH3205WSBQA 是一款 650V、49mΩ 的氮化镓场效应晶体管，为符合 AEC-Q101 标准的常闭型汽车级器件。它融合了先进的高压氮化镓高电子迁移率晶体管和低压硅 MOSFET 技术，提供了卓越的可靠性和性能。该氮化镓技术通过更低的栅极电荷、更小的开关交叠损耗以及更低的反向恢复电荷，实现了比硅器件更高的效率。
商品特性
- 符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的氮化镓技术
- 生产测试动态导通电阻
- 鲁棒性设计，包括本征寿命测试、宽栅极安全裕度和瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷
- 降低的开关交叠损耗
- 符合 RoHS 标准且采用无卤素封装
应用领域
- 汽车
- 数据通信
- 工业
- 光伏逆变器
- 伺服电机