温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTH20P50P
1个P沟道 耐压:500V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：国际标准封装。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低封装电感。 快速本征二极管。 易于安装。应用：高端开关。 推挽放大器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH20P50P
- 商品编号
- C3290684
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.12nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这些是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。它们是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。它们可以直接由集成电路驱动。
商品特性
- 11A和8.7A，350V和400V
- rDS(ON) = 0.55Ω和0.80Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗