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SCTWA90N65G2V
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- 描述
- 碳化硅功率 MOSFET 650 V、119 A、18 mOhm（典型值 TJ = 25 C），采用 HiP247 长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTWA90N65G2V
- 商品编号
- C3290673
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 119A | |
| 耗散功率(Pd) | 565W |
优惠活动
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