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STWA75N65DM6
1个N沟道 耐压:650V 电流:75A
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- 描述
- N沟道650 V、33 mOhm典型值、75 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA75N65DM6
- 商品编号
- C3290672
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 14.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻 (RDS(on)) 更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用