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STWA30N65DM6AG
汽车级N通道650V, 28A, 90mΩ典型, MDmesh DM6
- 描述
- 采用 TO-247 长引线封装的汽车级 N 沟道 650 V、90 mOhm（典型值）、28 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA30N65DM6AG
- 商品编号
- C3290671
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 284W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的RDS(ON)更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用