R6076KNZ4C13
1个N沟道 耐压:600V 电流:76A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6076KNZ4C13
- 商品编号
- C3290645
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,44.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 735W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款高压器件是采用SuperMESH™技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，该技术是对成熟的PowerMESH™技术的优化。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用