RFG45N06
N沟道,电流:45A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFG45N06
- 商品编号
- C3290663
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RFG45N06、RFP45N06 N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能实现硅的最优利用,从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及双极晶体管的发射极开关等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 45A、60V
- rDS(ON) = 0.028Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- +175°C工作温度
应用领域
- 采用功率因数校正（PFC）、反激式和 LLC 拓扑的开关模式电源（SMPS）
- 采用直流/交流（DC/AC）逆变器拓扑的微型逆变器