R6076ENZ4C13
1个N沟道 耐压:600V 电流:76A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6076ENZ4C13
- 商品编号
- C3290643
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 735W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，且便于设计实现。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 易于并联使用
- 无铅电镀;符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用