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PMV13XNEAR
20V, 7.3A, 20V N通道MOSFET
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- 描述
- N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV13XNEAR
- 商品编号
- C3290634
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 931pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 121pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF |
商品特性
- 低阈值电压
- 扩展的温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 极快速开关
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV 人体模型(H2类)
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-直流到直流转换-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路