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PMV52ENER
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV52ENER
- 商品编号
- C3290635
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如DC/DC转换器、便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护>1 kV HBM(H1C类)
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路