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PMV50XNEAR
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.4A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV50XNEAR
- 商品编号
- C3290633
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 296pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |