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PMV88ENER
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.2A
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV88ENER
- 商品编号
- C3290632
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 117mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品概述
RM115N65T2采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 65V，漏极电流（ID） = 115A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 4.7 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 8.0 mΩ
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 用于超低Rdson的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源