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PMV88ENER
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.2A
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV88ENER
- 商品编号
- C3290632
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 117mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品概述
RM115N65T2采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM(H2类)
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路