温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF27N60M2-EP
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道600 V、0.150 Ohm典型值、20 A MDmesh M2 EP功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF27N60M2-EP
- 商品编号
- C3290621
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 163mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 极低的关断开关损耗
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- 专为甚高频转换器(f > 150 kHz)设计