STP15NK50ZFP
1个N沟道 耐压:500V 电流:14A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP15NK50ZFP
- 商品编号
- C3290618
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 264pF |
商品概述
该器件是一款基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，结合了意法半导体（STMicroelectronics）著名的PowerMESHTM横向布局结构。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 该值根据Rthj - case进行额定，并受封装限制。
- 全球最佳的RDS(on) * 面积
- 更高的VDSS额定值和高dv/dt能力
- 出色的开关性能
应用领域
- 开关应用