RJK1003DPN-A0#T2
N沟道,电流:50A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK1003DPN-A0#T2
- 商品编号
- C3290508
- 商品封装
- TO-220FPA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.15nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件采用了全新的先进沟槽 MOSFET 技术，在保持低导通电阻的同时，具有低栅极电荷的特点。 该器件针对开关应用进行了优化，可提高 DC/DC 转换器的整体效率，并支持更高的开关频率运行。
商品特性
- 快速开关
- 漏源导通电阻（典型值） = 0.0019 Ω，栅源电压 = 10 V
- 漏源导通电阻（典型值） = 0.0027 Ω，栅源电压 = 4.5 V
- 栅极电荷（典型值） = 110 nC，栅源电压 = 5 V
- 栅漏电荷（典型值） = 31 nC
- 输入电容（典型值） = 11000 pF
应用领域
- DC/DC 转换器
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