AOTF12T60PL
600V,12A N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF12T60PL
- 商品编号
- C3290531
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单
应用领域
-LED和CCFL通用照明-工业、消费和电信领域的AC/DC电源