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FDPF041N06BL1-F154
N沟道MOSFET,电流:77A,耐压:60V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF041N06BL1-F154
- 商品编号
- C3290568
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合低压应用，如高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制。
商品特性
- RDS(on) = 3.5 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 77 A
- 低品质因数RDS(on)*QG
- 低反向恢复电荷Qrr
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 开关速度快
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIL)测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统