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FDPF041N06BL1-F154
N沟道MOSFET,电流:77A,耐压:60V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF041N06BL1-F154
- 商品编号
- C3290568
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合低压应用，如高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制。
商品特性
- 5.5A、100V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.35Ω
- 低栅极电荷（典型值4.6nC）
- 低Crss（典型值12pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
- 低电平栅极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作
应用领域
- 高效开关式DC/DC转换器-直流电机控制