R6504ENXC7G
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6504ENXC7G
- 商品编号
- C3290604
- 商品封装
- TO-220FM
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V,1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体（Fairchild）专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 2.1A、900V，VGS = 10V时，RDS(on) = 4.25Ω
- 低栅极电荷（典型值20nC）
- 低Crss（典型值8.0pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力