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FCPF190N60-F154
N沟道,电流:20.2A,耐压:600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF190N60-F154
- 商品编号
- C3290575
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 199mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 128pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.165nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 170 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 57 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss.eff = 160 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-计算机/显示器电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器