R8011KNXC7G
N沟道,电流:±11A,耐压:800V
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R8011KNXC7G
- 商品编号
- C3290596
- 商品封装
- TO-220FM
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.578克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@5.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术专门用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 3.5A、200V，VGS = 10V时，RDS(on) = 1.2Ω
- 低栅极电荷（典型值4.8nC）
- 低Crss（典型值6.0pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 低电平栅极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作
应用领域
- 高效开关式DC/DC转换器
- 开关电源
- 电机控制