SSS10N60B
N沟道,电流:9.0A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSS10N60B
- 商品编号
- C3290569
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 12 A、600 V，RDS(导通) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 6 A
- 低栅极电荷（典型值48 nC）
- 低Crss（典型值21 pF）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器