FDPF035N06B_F152
N沟道,电流:88A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF035N06B_F152
- 商品编号
- C3290557
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HEXFET技术是国际整流器公司（International Rectifier）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。这种最新“前沿”设计的高效几何结构和独特工艺实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；卓越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 88 A条件下,RDS(on) = 2.91 mΩ(典型值)
- 低品质因数RDS(on) * QG
- 低反向恢复电荷Qrr
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 快速开关速度
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源
- 可再生能源系统