IRLS540A
N沟道,电流:17A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRLS540A
- 商品编号
- C3290556
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
RFB18N10CS是一款n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，内置电流感应功能。电流感应引脚可提供漏极电流的精确比例，可作为控制和/或保护的反馈信号。这些器件可在标准PowerMOS生产线上进行重复且经济高效的生产。
商品特性
- 雪崩坚固技术
- 坚固栅极氧化物技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流:10 μA(最大值)@ VDS = 100 V
- 更低的RDS(ON):0.046 Ω(典型值)