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FCPF380N65FL1-F154
1个N沟道 耐压:650V 电流:10.2A
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- 描述
- SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET II FRFET MOSFET的体二极管经过优化的反向恢复性能，可以去除额外的元件并提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF380N65FL1-F154
- 商品编号
- C3290540
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 雪崩坚固技术
- 坚固栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：在VDS = 400V时为10μA（最大值）
- 低RDS(ON)：0.254 Ω（典型值）