SSS2N60B
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSS2N60B
- 商品编号
- C3290535
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流：25 μA（最大值）@ VDS = 900V
- 低导通状态下的漏源电阻: 4.181 Ω (典型值)
- 漏源击穿电压 = 900 V
- 导通状态下的漏源电阻 = 5.0 Ω
- 漏极电流 = 4 A
- TO-220