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AOTF15S60L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOTF15S60L

1个N沟道 耐压:600V 电流:15A

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品牌名称
AOS
商品型号
AOTF15S60L
商品编号
C3290527
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.133333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))254mΩ@10V
耗散功率(Pd)27.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.2V
栅极电荷量(Qg)15.6nC@10V
输入电容(Ciss)717pF
反向传输电容(Crss)1.3pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)58pF

商品特性

  • 漏极电流受最大结温限制。
  • R₀JA的值是在环境温度TA = 25°C的静止空气环境中测量得到的。
  • 功率耗散PD基于TJ(MAX) = 150°C,使用结到外壳的热阻,在使用额外散热片的情况下,对于设置上耗散极限更有用。
  • 重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX) = 150°C限制,额定值基于低频和占空比,以保持初始TJ = 25°C。
  • RθJA是结到外壳的热阻RθJC和外壳到环境的热阻之和。
  • 图1至图6中的静态特性是使用小于300 μs的脉冲、最大占空比0.5%获得的。
  • 这些曲线基于结到外壳的热阻抗,该热阻抗是在器件安装到大型散热片上测量得到的,假设最大结温TJ(MAX) = 150°C。SOA曲线提供单脉冲额定值。
  • L = 60 mH,IAS = 2.4 A,VDD = 150 V,起始TJ = 25°C。
  • Co(er)是一个固定电容,当VDS从0上升到80% V(BR)DSS时,它与Coss具有相同的存储能量。
  • Co(tr)是一个固定电容,当VDS从0上升到80% V(BR)DSS时,它与Coss具有相同的充电时间。
  • 仅允许引脚进行波峰焊。

数据手册PDF