温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOTF66616L
1个N沟道 耐压:60V 电流:72.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 沟槽功率MOSFET-AlphaSGTTM技术。低导通电阻RDS(ON)。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF66616L
- 商品编号
- C3290516
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 940pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单