NP70N04MUG-S18-AY

CPC3730C是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺为高输入阻抗的高功率应用提供了一种坚固耐用的器件。

该器件在需要低漏源电阻的功率应用中表现出色，尤其适用于汽车点火模块等寒冷环境。

CPC3730C在25°C时的最大导通电阻低至30欧姆。

CPC3730C的最小击穿电压为350V，采用SOT - 89封装。与所有MOS器件一样，FET结构可防止热失控和热致二次击穿。

• 耗尽型器件在低温下具有低RDS(ON)
• 25°C时最大导通电阻低至30欧姆
• 高输入阻抗
• 高击穿电压350V
• 低VGS(off)电压 -1.6至 -3.9V
• 小封装尺寸SOT - 89

• 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
• 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。