我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
RFP12N06RLE实物图
  • RFP12N06RLE商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RFP12N06RLE

N沟道,电流:12A,耐压:60V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
RFP12N06RLE
商品编号
C3290229
商品封装
TO-220​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))135mΩ@5V
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

该HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而打造,采用最新处理技术,实现了单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计,为设计师提供了一款极其高效可靠的器件,可用于汽车及其他多种应用。

商品特性

  • 12A,60V
  • 导通电阻rDS(on) = 0.135Ω
  • 具备静电放电额定值
  • 单脉冲UIS安全工作区(SOA)额定曲线
  • 针对5V栅极驱动进行优化设计
  • 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
  • 符合汽车驱动要求
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗
  • 多数载流子器件

应用领域

-可编程控制器-汽车开关-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-双极晶体管的发射极开关

数据手册PDF