RFD7N10LE
N沟道,电流:7A,耐压:100V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFD7N10LE
- 商品编号
- C3290275
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能实现硅的最佳利用,从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现,该设计可在3V至5V的栅极偏压范围内提供全额定电导,从而便于直接从逻辑电平(5V)集成电路实现真正的开关功率控制。
商品特性
- 7A,100V
- rDS(ON) = 0.300 Ω
- 2kV静电放电(ESD)保护
- 温度补偿PSPICE模型
- 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
- 175°C工作温度