IRF626
1个N沟道 耐压:275V 电流:3.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRF626
- 商品编号
- C3290442
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 275V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 低导通电阻，传导损耗低
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V负载
- 通用功率开关
- 汽车系统
- 电机、灯具和螺线管