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IRF626

1个N沟道 耐压:275V 电流:3.8A

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
IRF626
商品编号
C3290442
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)275V
连续漏极电流(Id)3.8A
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)340pF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

商品概述

采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证,适用于汽车关键应用。

商品特性

  • 3.8A 和 3.3A,250V - 275V
  • 导通电阻 rDS(on) = 1.1Ω 和 1.5Ω
  • 单脉冲雪崩能量额定
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗
  • 250/275V 直流额定值 - 120V 交流线路系统运行

应用领域

  • 12 V负载
  • 通用功率开关
  • 汽车系统
  • 电机、灯具和螺线管

数据手册PDF