RFP42N03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:42A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFP42N03L
- 商品编号
- C3290464
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 575pF |
商品概述
RFG45N06LE、RFP45N06LE、RF1S45N06LE 和 RF1S45N06LESM 是采用 MegaFET 工艺制造的 N 沟道功率 MOSFET。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能使硅得到最优利用，从而实现出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 45A、60V
- rDS(ON) = 0.028Ω
- 2kV 静电放电（ESD）保护
- 温度补偿 PSPICE 模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关（UIS）额定曲线
- +175°C 工作温度