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SIHP24N80AE-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:21A
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- 描述
- 特性：低品质因数 (FOM) Ron × Qg。 低有效电容 (C0(er))。 降低开关和传导损耗。应用：Server and telecom power supplies
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP24N80AE-GE3
- 商品编号
- C3290472
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 184mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.836nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低有效电容 (Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)
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