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IRF640PBF-BE3实物图
  • IRF640PBF-BE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF640PBF-BE3

N沟道MOSFET,电流:11A,耐压:200V

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF640PBF-BE3
商品编号
C3290490
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF
反向传输电容(Crss)130pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 第四代 E 系列技术
  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低有效电容(Co(er))
  • 降低开关和传导损耗
  • 具备雪崩能量额定值(UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF