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BSZ042N04NSG
N沟道,电流:40A,耐压:40V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ042N04NSG
- 商品编号
- C3290498
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
BUZ41A是一款n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。该型号可直接由集成电路驱动。 BUZ41A采用JEDEC TO - 220AB塑料封装。
商品特性
- 用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流(DC/DC)转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准,适用于目标应用
- N沟道;正常电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- 雪崩额定
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤