RFB18N10CS
N沟道,电流:18A,耐压:100V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFB18N10CS
- 商品编号
- C3290506
- 商品封装
- TO-220AB-5
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率AlphaMOS-II技术
- 低 RDS(on)
- 低Ciss和Crss
- 高电流承载能力
- 符合RoHS和无卤标准
应用领域
- LED和CCFL通用照明-工业、消费和电信领域的AC/DC电源