IRF830BPBF-BE3
N沟道 MOSFET,电流:3.4A,耐压:500V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF830BPBF-BE3
- 商品编号
- C3290482
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围：结温Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护> 2 kV人体模型（H2类）
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路