IRFBE20PBF-BE3
N沟道MOSFET,电流:1.8A,耐压:800V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBE20PBF-BE3
- 商品编号
- C3290485
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
- 专有αMOS5技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 优化开关参数,以实现更好的电磁干扰(EMI)性能
- 增强型体二极管,具备高可靠性和快速反向恢复能力
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单
应用领域
- 采用功率因数校正(PFC)、反激和 LLC 拓扑的开关电源(SMPS)
- 银牌ATX电源、适配器、电视、照明、服务器电源
