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IRFBE20PBF-BE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFBE20PBF-BE3

N沟道MOSFET,电流:1.8A,耐压:800V

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFBE20PBF-BE3
商品编号
C3290485
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)7.2A
导通电阻(RDS(on))6.5Ω@10V
耗散功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)530pF
反向传输电容(Crss)90pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品概述

  • 专有αMOS5技术
  • 低导通电阻RDS(ON)
  • 优化开关参数,以实现更好的电磁干扰(EMI)性能
  • 增强型体二极管,具备高可靠性和快速反向恢复能力

商品特性

-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单

应用领域

  • 采用功率因数校正(PFC)、反激和 LLC 拓扑的开关电源(SMPS)
  • 银牌ATX电源、适配器、电视、照明、服务器电源

数据手册PDF