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RFP8N20实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RFP8N20

N沟道,电流:8A,耐压:200V

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
RFP8N20
商品编号
C3290483
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)750pF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)250pF

商品特性

  • 8A、180V和200V
  • 漏源导通电阻rDS(on) = 0.5 Ω
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗
  • 多数载流子器件

数据手册PDF