IRFBF20PBF-BE3
N沟道MOSFET,电流:1.7A,耐压:900V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBF20PBF-BE3
- 商品编号
- C3290476
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款采用条形平面设计的HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，利用最新的加工技术，实现了单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，该优势为设计师提供了一款极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他各种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在结温最大值下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证*