SIHP690N60E-GE3
N沟道MOSFET,电流:6.4A,耐压:650V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP690N60E-GE3
- 商品编号
- C3290481
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 347pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RFM8N18L、RFM8N20L、RFP8N18L和RFP8N20L是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平（5V）驱动源配合使用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在3V - 5V范围内的栅极偏置下实现全额定导通，从而便于直接利用逻辑电路电源电压进行真正的开关功率控制。 RFM系列产品采用JEDEC TO - 204AA钢制封装，RFP系列产品采用JEDEC TO - 220AB塑料封装。
商品特性
- 8A、180V和200V
- rDS(ON) = 0.5Ω
- 针对5V栅极驱动进行优化设计
- 可直接由QMOS、NMOS、TTL电路驱动
- 符合汽车驱动要求
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件