HUF76437P3
1个N沟道 耐压:60V 电流:71A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76437P3
- 商品编号
- C3290465
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 155W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 695pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.014 欧姆,vGS = 10V
- rDS(ON) = 0.017 欧姆,vGS = 5V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线